预算9526万元！上海大学近期大批仪器采购意向

鹏哥

近日，上海大学发布28项仪器设备采购意向，预算总额达9526万元，涉及亚皮米级光学麦克风光频谱成像仪、中远红外光谱高分辨智能测试仪、智能光子器件封装测试平台、显微粒子成像测速仪等设备，预计采购时间为2025年8月。
亚皮米级光学麦克风光频谱成像仪

目前，关于“亚皮米级光学麦克风”和“光频谱成像仪”的讨论集中在非常先进的光子学和光谱分析领域。然而，“亚皮米级光学麦克风”这一术语并不常见于已有的技术文献或产品中，而“光频谱成像仪”则是一种用于精确测量和分析光信号频谱特性的精密仪器。

中远红外光谱高分辨智能测试仪

中远红外光谱高分辨智能测试仪是一种专门设计用于在中红外（MIR）和远红外（FIR）波段内进行高分辨率光谱分析的设备。这类仪器通常基于傅里叶变换红外光谱技术（FTIR），可以提供精确的分子指纹信息，适用于材料科学、化学、生物学、环境科学等多个领域的研究与应用。

详细采购清单：

上海大学2025年8月仪器设备采购意向汇总表

采购 项目	需求概况	预算 万元	采购 时间
亚皮米级光学麦克风光频谱成像仪	为支持高灵敏度声学信号检测与空间分布分析，实验室拟采购一台具备亚皮米级位移分辨率的光学麦克风光频谱成像仪。该设备应具备非接触式成像能力，可实现对复杂声场的高精度空间频谱测量与可视化分析。	140	2025年8月
垂直领域大模型数据抽取、标注及训练平台	垂直领域大模型数据抽取、标注及训练平台需要接入数据资源，提供全面、便捷、高效的数据抽取、标注和训练功能。支持垂直领域数据元素的基础管控、标注与训练，实现大模型的智能化全局管理。	150	2025年8月
中远红外光谱高分辨智能测试仪	为了保障中远红外特种光纤的精确性能表征、应用系统测试等科研工作的展开，中远红外光谱分析仪需要满足以下采购技术参数：1.测量波长量程：1900~5500nm；2.波长精度：±0.5nm（全波长范围）；3.波长分辨率设置：最高0.2nm；4.功率灵敏度：-40dBm（1900~2200nm），-50dBm（2200~2900nm）, -60dBm（2900~4500nm）；5.最大输入功率：﹢13dBm（每通道，全波长范围）；6.动态范围：50dB（波峰±5nm，分辨率0.2nm）；7.自由空间光输入；8.内置校准光源。	130	2025年8月
智能光子器件封装测试平台	智能光子器件封装测试平台是一种集高精度光子器件封装与性能测试于一体的设备，广泛应用于光通信、传感、量子信息等领域。该平台通过整合先进的光学测量技术与自动化操作技术，能够实现光子器件的高效封装、性能优化和精确测试，满足光子器件在研发和生产过程中对高稳定性和高精度的需求。平台支持多种封装方式和测试模式，可以进行光子器件的动态和静态性能测试，包括光功率、波长、传输损耗、响应时间等关键参数的测量。	110	2025年8月
AI芯片算法加速测试系统	支持2颗英特尔？至强？第三代可扩展家族处理器或澜起津逮？处理器系列，单颗可多达40个核心，最大功率270W；支持32个DDR4内存插槽，速率可高达3200MT/s，支持RDIMM或LRDIMM，容量可多达12TB；支持内存高级ECC，内存镜像模式，在线内存备份模式。系统SAS/SATA/NVMe硬盘配置：硬盘需大于480GB配置。12x 2.5/3.5英寸 SAS/SATA/NVMe（可支持4 x NVMe）。配置大于192GB显存显卡。支持8个8056风扇，N+1热插拔冗余风扇。HDM无代理管理工具 (带独立管理端口) 和管理软件。6个USB 3.0+2个VGA+1个串口+1个HDM管理网口+1个TypeC Debug口；4个2000W白金电源，支持N+N冗余；主要用于AI训练和数据处理。设备交货期合同签订后30-60天。质保不少于2年。	100	2025年8月
显微粒子成像测速仪	显微粒子成像测速仪一套：对常规透明微通道、介尺度、宏观流场进行速度场测量；图像分辨率500万像素；测量视野0.8 mm×0.7 mm~400 mm×300mm；宏观视野流场测试速度范围0~700 m/s；微、介尺度通道测速范围0~6 m/s@ 视野1 mm*1mm；图像全分辨率下采样率1-15hz可调。设备交货期合同签订后60-90天。质保不少于2年。	120	2025年8月
晶圆级物理气相介质薄膜沉积设备	（1）设备最大支持300mm直径的晶圆级介质薄膜沉积，向下兼容200mm、150mm、100mm等尺寸晶圆；（2）采用向上沉积模式；（3）具备≥4个直径6英寸靶枪；2个直流电源，DC功率≥6KW；2个射频电源，RF功率≥600W；（4）具备送样腔、沉积腔，沉积腔室极限真空优于2E-5Pa；（5）工件台控温最高加热温度≥800℃，0~20转/分钟可调；（6）镀膜均匀性：直径300mm范围内均匀性优于5%； 镀膜重复性：批次间重复性优于2%。	255	2025年8月
电谱与相噪分析仪	应对高速光通信芯片与AI光子处理芯片性能测试需求，需购置的电谱与相噪分析仪需满足以下指标：频率范围：1MHz~40GHz；频偏范围：0.01 Hz to 100 MHz；相位噪声灵敏度：@100 MHz, 10 Hz 偏移：-120dBc/Hz （LN），@100 MHz, 10 kHz 偏移：-175dBc/Hz （LN），@1 GHz, 10 Hz 偏移：-100dBc/Hz （LN），@1 GHz, 10 kHz 偏移：-155dBc/Hz （LN）；输入功率范围：<18 GHz：-15 dBm to +20 dBm，18 GHz to 30 GHz：-15 dBm to +23 dBm，>30 GHz: -5 dBm to +23 dBm；测量精度：+4 dB@Offset < 10 Hz，+3 dB@Offset 10 Hz to 1 kHz，+2 dB@Offset 1 kHz to 100 MHz；输出端口：内置两个可编程的低噪声直流电源：电压范围0~15V，电流550mA（MAX），提供三个低噪声调谐电压：-5至+ 20v，支持实时互相关功能，支持频谱仪功能。	130	2025年8月
光刻机物镜离子束抛光装备	拟采购设备要求的技术参数∕指标： 加工能力：最大尺寸:Ф300mm;角度:±30 加工精度：可实现面形RMS<1nm超高精度加工 加工类型：平面、球面、非球面、自由曲面及图像刻蚀 加工材料：金属、石英、微晶、单晶硅、蓝宝石、碳化硅等 布局：立式三轴T型布局 X/Y/Z三轴有效行程360mm*360mm*360mm 离子源：IOT离子源 设备体积：2.5米*2.5米*1.8米 工作真空度：5e-3~1e-2左右， 抽取速度：30min以内 主真空尺寸：880mm*890mm*1006mm 副腔体尺寸：880mm*730mm*420mm 光斑直径：1mm~38mm可选 喷出口距离抛光表面距离：5mm~30mm之间，视光斑直径而定。	330	2025年8月
光学特征分析仪	应对高速光通信芯片与AI光子处理芯片性能测试需求，需购置的光学特征分析仪需满足以下指标：波段：1525~1625nm，测量长度（透射）：200m ，波长分辨率：1.6pm，波长精度：±1.0 pm，损耗（IL）动态范围：80dB，损耗精度：±0.5dB，损耗分辨率：±0.002dB，回损精度：±0.1dB，群时延量程：6ns，群时延精度： ±0.1ps，色散精度： ±5ps/nm，PDL精度： ±0.03dB，PDL动态范围：50dB，PMD量程：6ns，PMD 精度：±0.1ps。	115	2025年8月
MEMS器件参数分析仪	MEMS器件参数分析仪主要技术要求：0.5 μV 和 0.1 fA 分辨率，可用于多频率（1 kHz 至 5 MHz）电容测量（CV、C-f 和 C-t）与电流/电压（IV）测量，超快速 IV 测量，100 ns 脉冲和 5 ns 采样率。	300	2025年8月
光致发光检测设备（PL检测）	PL检测为光致发光检测设备，功能是通过光致发光检测芯片发光性能的缺陷。通过向样品如半导体晶圆发射特定波长激光，激发其产生荧光，并通过高灵敏度探测器捕获并分析该发射光的强度、波长和空间分布。由此可非破坏性地检测材料内部的缺陷、评估晶体质量、测量带隙、分析成分及均匀性，广泛应用于半导体制造、材料研发等质量控制环节。主要技术要求：4", 6" EPI的缺陷检测，亚微米级分辨率。2年质保，供货期8个月。	150	2025年8月
半导体显示用电感耦合等离子体刻蚀设备	半导体显示用电感耦合等离子体刻蚀设备的核心功能是利用高频电流在线圈中感应产生高密度等离子体。 该等离子体在电场引导下轰击基板表面，通过物理轰击和化学反应精确、可控地去除特定材料层，实现微米乃至纳米级的精细图形转移。主要技术要求：支持最大衬底尺寸：兼容200mm*200mm方形基板、8英寸及以下尺寸晶圆；刻蚀气体可配置Ar、O2、N2、CHF3、C4F8、CF4、HBr、SF6等；可刻蚀SiOx、SiNx、SiNO、TiO2等薄膜；刻蚀均匀性：优于±5％；片间均匀性：优于±5％;腔室数量：传输腔1个、反应腔1个。2年质保，供货期8个月。	300	2025年8月
玻璃基2.5D/3D封装激光器	玻璃基2.5D/3D封装激光器主要用于先进封装、超高清显示以及半导体显示领域的玻璃基驱动背板TGV制造。该激光器通过超短高能量脉冲在玻璃基板上加工具有光滑内部形貌及特殊结构的玻璃通孔，可用于实现大规模3D先进封装互联以及新一代超高清显示阵列，是集成工艺中的核心制造设备。主要技术要求：中心波长：～800nm；重复频率：1kHz；脉冲宽度：？≤？35fs；单脉冲能量：≥3mJ；功率稳定性：≤？0.5%（8h）；光斑大小：～6mm；指向稳定性：≤？10μrad。2年质保，供货期8个月。	125	2025年8月
半导体能谱精密分析系统	用于通过测试半导体材料的电致发光EQE谱和光致发光谱，自动化拟合计算半导体材料的禁带宽度、电荷转移态能阶Ect、重组能λ、电荷转移态常数f等关键材料参数。主要技术要求：根据肖特基-奎伊瑟(Shockley–Queisser)的SQ平衡极限理论，在SQ平衡极限中，Voc三大损耗包括：ΔV？热力学损耗、ΔV？辐射损耗、ΔV？非辐射损耗。EL-EQE光谱强度可达6个数量级的动态范围测量能力（即EL-EQE最低可达0.00001%），电荷转移态能阶Ect、重组能λ、电荷转移态常数f 拟合计算。1年质保，供货期4个月。	170	2025年8月
晶圆翘曲检测设备	晶圆翘曲检测设备的功能是检测晶圆的翘曲度、应力分布。利用激光干涉、光学轮廓术或电容传感等技术，在不接触晶圆表面的情况下，精确测量其表面多个点的位置高度。基于采集的高度数据，构建晶圆表面的三维形貌图，直观显示翘曲分布。自动计算关键参数，如总厚度变化、整体翘曲、局部弯曲以及根据行业标准定义的各项翘曲指标。快速判定晶圆是否符合规格要求，实时输出结果，并可对晶圆进行合格/不合格分类。为前道和后道工艺提供关键的质量数据，帮助优化制程，防止因翘曲导至的光刻缺陷、键合不良等问题，提升产品良率。该设备是确保芯片高精度制造和封装可靠性的关键质量控制工具。主要技术要求：检测精度：≤1μm；分辨率：≤0.1μm；重复精度: ≤1um。2年质保，供货期8个月。	275	2025年8月
3D探针式轮廓仪	该设备主要用于半导体显示及微纳制造领域垂直沟道器件侧壁表面粗糙度3D形貌探测评价，垂直沟道器件可提升器件分辨率4倍以上，利用精密探针在样品表面进行接触式扫描，精确采集微观轮廓的三维坐标数据，从而获取表面微观形貌的三维立体图像，清晰展现峰谷结构、纹理走向等并可以精确测量线条宽度、沟槽深度、台阶高度、角度、曲率半径等几何尺寸。依据国际标准计算表面粗糙度参数和波纹度参数。分析体积、面积、截面形状、平面度、平行度等形貌特征。特别适用于测量微小、复杂或高反光/透明样品的表面微观结构，广泛应用于精密机械、半导体、光学、材料科学等领域的研发与质量控制，是提升半导体显示、微纳器件、柔性显示器件高分辨制备关键的检测设备。主要技术要求：台阶高度:纳米级至1000um；扫描范围：100um*100um*15um；微力恒力控制:0.03-50mg；测头底噪声：≤50fm/HZ1/2；圆弧校正:可消除由于探针的弧形运动引起的误差；测试能力：台阶高度、粗糙度、薄膜应力、表面翘曲度，具有二维(2D)和三维(3D)测量功能，侧壁形貌扫描功能等；载台尺寸：可实现200mm*200mm方型载板放置与测量；自动换针模块：四工位磁式自动换针；集成隔音罩、气浮隔震样品载台等。2年质保，供货期8个月。	120	2025年8月
8英寸晶圆级高密度集成器件高通量缺陷检测设备	用于对8英寸晶圆上的高密度器件进行高通量的光电多参数信号采集，并根据光电信号测试结果，自动化进行高通量的缺陷信息表征。整合同步光调制与可编程矩阵激光器模块，可支持极端环境下（高温、多波长光电激发）器件的多通道、多参数电学特性退化研究。主要技术要求：1、支持8英寸晶圆先进节点工艺器件电学信号检测，检测集成密度高达100000/cm2；2、可集成高密度探针卡，支持高通量直流（DC）、射频（RF）及高频信号测试，通道数高达400以上；3、光源调制与电学测试的时序同步精度≤1μs，适用于高密度节点器件的高通量良率与缺陷检测；4、配套高密度可编程信号发生器，支持定制化区域的先进节点器件电信号与缺陷检测。2年质保，供货期8个月。	125	2025年8月
8英寸晶圆级集成电路先进节点工艺器件自动化测试设备	用于在常温或高温下测试8英寸晶圆级集成电路先进节点工艺器件的IV、CV、高压CV等电学特性，并自动化对器件进行建模提参，自动化获得集成电路先进节点工艺器件的SPICE模型。主要技术要求：1、标准支持3000V，200A测试；2、支持IV、CV、高压CV测试扩展功能（Qg/Rg/crss/Ciss/Coss）；3、On wafer 可支持高低温升级，温度范围：室温~300°C（降温方式：常温CDA）；4、10个针座：其中1个高压三同轴，3个高压CV，2个大电流，2个常压三同轴，2个BNC。2年质保，供货期8个月。	150	2025年8月
五轴加工中心	五轴五联动加工中心；设备行程：X≥700mm、 Y≥600mm、回转台≥600mm；AC/BC实现360度旋转；重复定位精度达1-2微米；主轴转速≥20000r/min；最大扭矩≥150Nm；XYZ三轴配备光栅尺；具有在线检测功能，可实现智能振动抑制功能；控制系统具有数字孪生功能和五轴虚拟仿真功能。	360	2025年8月
多模态数据智能融合与裸眼三维显示系统	该系统基于人工智能的多波段多模态测量数据融合算法，实现跨尺度多模态测量的快速重建，并利用增强现实技术的三维呈现技术，实现原位测量数据的三维实时呈现与视觉增强。该系统适用于制造环境的非接触式原位测量系统及实时呈现的三维显示平台，实现对元件在制造及工作等复杂环境中的性能实时监测、评估与呈现。	106	2025年8月
MEMS传感器真空键合系统	本次拟采购的MEMS传感器真空键合系统主要用于微机电系统（MEMS）传感器的晶圆级键合，要求设备具备高精度、高可靠性键合能力，适用于小尺寸晶圆（例如2英寸），并支持硅基、蓝宝石基等多种材料的高强度键合，以满足高温、高压、振动等严苛环境下的传感测试需求。同时，系统还需配备激光器以满足MEMS振动膜片结构的精密刻蚀需求、以及需配置压力控制器以实现对键合腔体和辅助工艺腔体的独立精准控制，确保复杂键合工艺的精确执行。	150	2025年8月
步进式光刻机（Stepper）	Stepper设备为步进式光刻机，核心功能用来实现晶圆线路图形化光刻,将掩膜版上设计的超精细电路图形，通过高精度投影光学系统，利用I线光源，分步重复曝光的方式，精确地转移到涂有光刻胶的硅晶圆表面。这一过程实现了芯片上微米级电路图案的定义，其极高的分辨率和套刻精度是制造先进制程芯片的关键。主要技术指标：晶圆尺寸：8inch；视场：33mm*53.5mm；分辨率：0.5 μm；照度：≥1200mW/cm2；照度均匀性：≤3%；计量精度：≤2%；套刻精度：≤0.35μm。2年质保，供货期8个月。	3200	2025年8月
自动化高通量合金制备系统（AI实验室）	自动化高通量合金制备系统属于人工智能材料设计实验室中的合金制备和表征部分。系统包括自动化感应熔炼炉、自动化快速烧结炉、自动化管式炉、自动化高温冲孔系统、自动化氧化增重测量仪。感应熔炼和快速烧结最高温度2000 ℃；管式炉最高加热温度1700 ℃；冲孔最高温度1300°C；氧化增重最高温度1200 ℃。	350	2025年8月
混合键合设备	混合键合设备，主要功能是用来实现芯片与基板的高密度微米级铜柱的互连键合。在超高精度下，将两片晶圆或芯片上的铜焊盘和周围介质层精确对准。并在相对低温和压力下，促使铜焊盘间通过原子扩散直接形成牢固的金属键合，同时使介质层也发生共价键合。同步实现芯片/晶圆间的电学互连和机械连接。其核心优势在于实现高密度、细间距、低电阻、低寄生电容的垂直互连，提升芯片性能和集成度，应用于HBM、CIS、先进逻辑芯片制造等。主要技术指标：可以实现晶圆的键合预对准；对位精度：≤1μm；退火温度：200-400℃；Cu dishing：2-4nm；晶圆翘曲：≤30μm；颗粒数：< 50 particles @ 90nm size；支持双面对准的6英寸，4英寸晶圆托盘。2年质保，供货期8个月。	750	2025年8月
微纳尺度加工及测量设备	微纳尺度加工及测量设备主要功能是实现微米级芯片界面的切割，并通过电子扫描显微镜观察分析。可通过高能离子束对样品进行纳米级精度的刻蚀、沉积导电/绝缘材料，以及制备超薄样品切片。利用电子束对样品表面进行高分辨率成像和成分分析。其核心优势在于原位加工与成像：可实时用SEM观察FIB加工过程，并逐层切割、成像，自动重构样品内部的三维结构。主要应用于材料科学、半导体芯片等领域。主要技术指标：SEM分辨率：0.8nm@15kV;1.5nm @1kV；FIB分辨率：5nm@30kV。2年质保，供货期8个月。	800	2025年8月
光电一体飞秒瞬态吸收光谱仪	光电一体飞秒瞬态吸收光谱仪可同时实现光泵浦和电泵浦激发下的超快动力学研究。该技术通过飞秒激光脉冲激发样品，并结合电学激励手段，实现对材料在光/电双重激励下的时间分辨吸收光谱变化的精确测量。主要技术要求：支持自动对准光学延迟组件由软件成像控制。支持延时线自动对准功能。时间范围: 8 ns；延时分辨率: 14 fs ； 配备探测光产生光路。探测光波长范围：320 - 650nm，420 - 1000nm。测试时间分辨率：1.5倍脉冲宽度；配备自动对准光学延迟组件。2年质保，供货期8个月。	360	2025年8月
激光焊接设备	激光焊接设备主要功能是通过快速局部加热实现芯片的焊接互连。主要是利用高度聚焦的激光束，实现微米级精度的非接触式焊接，常用于Micro-LED芯片制造过程中的关键连接环节，一是将Micro-LED芯片阵列精准焊接到驱动背板（如硅基CMOS或TFT）的对应电极上。二是可以对巨量转移过程中出现的个别失效像素进行高精度、选择性的激光修复焊接。其核心优势在于高精度定位、精确能量控制、局部瞬时加热，能形成微小而可靠的电气与机械连接，同时极大限度减少热影响区，避免损伤周围脆弱的Micro-LED结构及基板材料，确保焊接质量和良率。这样技术要求：工作距离 389mm；光斑尺寸（平顶区域）？80mm*10mm；光斑均匀性 (长宽方向) - >90%；光斑形态条形。2年质保，供货期8个月。	155	2025年8月